半导体行业探讨：EUV技术与High-NA EUV的光刻革命
EUV（极紫外光刻）技术在半导体行业备受瞩目。据ASML公布的2023年第三季度报告，EUV光刻机的预定额从5亿欧元猛增至第四季度的56亿欧元，预计将在2025年前后交付。这一技术由日本工程师木下博夫提出，经过几十年的发展，ASML成为唯一能够量产EUV光刻机的厂商。
EUV技术相对传统DUV技术具有明显优势，包括更低成本批量生产、更强处理能力、更低能耗、更简化工艺等。EUV的发展历程可追溯到上世纪80年代中期，当时日本的木下博夫提出了EUVL的想法。然而，这一技术经历了多年的质疑和挑战，直到ASML在2019年推出首款商用EUV产品。
EUV的成功转折点发生在1997年，当时英特尔决定投资10亿美元共同开发EUV技术。经过多年研发，ASML的EUV光刻机终于在2019年投入使用，成为半导体行业的重要工具。EUV技术的商业成功也体现在市场规模的增长，预计在2028年将达到253亿美元。
然而，随着技术的发展，新一代的High-NA EUV技术逐渐崭露头角。ASML的新型EUV光刻机EXE采用了更大数值孔径（NA）的物镜，提高了光刻精度。虽然High-NA EUV技术受到欢迎，但由于其高昂的价格，目前只有少数公司，包括台积电、英特尔和三星，敢于下订单。
然而，台积电在采用High-NA EUV技术方面显得谨慎。一些分析认为，台积电可能对这项技术的采用采取谨慎态度，因为它可能会增加成本，而且目前可能缺乏足够的大客户需求。相比之下，英特尔在采用High-NA EUV技术方面表现更为积极，已经收到了ASML的主要组件，并准备投入使用。
因此，未来High-NA EUV技术在半导体行业的竞争仍然不确定，各大公司的选择将取决于成本、需求和技术发展的平衡。
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