半导体的光电导工作原理简介
从入射光照射到半导体 表面的 瞬间开始，能带中的 载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加， 复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的 稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到 光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的 弛豫时间，或 响应时间。
用适当的 电子线路可以测量 光生载流子所输出的 电流，这个电流称为 光电流。入射光的单位 功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表 样品的光电导过程的 效率，与 材料的基本参量，如载流子 迁移率和 寿命、样品的尺寸以及入射光的 波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于 光照引起 载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远 红外探测器。
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