负责该项研究的加州大学河滨分校物理和天文学系科学家大卫·卡西迪说：“通过这种方法，我们能够在非常宽的温度范围内，以可控的方式生产大量电子偶素。其他从材料表面生产电子偶素的方法一般都需要首先将样品加热到很高的温度，而我们的方法几乎可以在任何温度下进行，其中还包括非常低的温度。”

　　该校物理和天文学教授艾伦·米尔说，这项工作表明在正电子到达前用激光照射样品表面，可以帮助正电子离开表面以免发生湮灭。用这样的方法，电子偶素就会从样品表面自然生成。这种电子偶素的存在时间要比硅表面的正电子长200倍以上，因此很容易探测到。

　　研究人员解释说，之所以选择硅作为生成材料是因为它在电子学中应用极为广泛，可靠、廉价且十分有效。卡西迪说，事实上，极低的温度对用硅生产电子偶素来说更为适合，至少在短时间内是这样的。

　　研究人员称，他们的最终目标是通过对电子偶素的研究更深入地了解反物质及其属性。该研究小组希望在不久的将来能对电子偶素实施冷却，使其实现玻色爱因斯坦凝聚态，从而获得更多的实验用途。