近年来，我国在II族氧化物半导体方面的研究工作取得了一系列重大进展：以多种方法实现了氧化锌的p型导电特性；在国际上率先在廉价的蓝宝石衬底上实现了氧化锌同质结的电致发光，以及异质结的电注入受激发射和高性能的紫外光电探测等，与国外同类材料和器件的技术指标相比达到国际先进甚至领先水平。

　　据悉，该项目包括II族氧化物中的杂质调控、生长模式控制、微腔构建以及激光模式控制等关键科学问题。项目首席科学家为中科院长春光机所研究员申德振。

　　该项目有望推动我国在宽禁带半导体领域的研究水平和创新能力，满足国家在白光照明、太空星际通讯等事关国防安全和国民经济发展的一系列重大问题上对短波长发光二极管、半导体激光器、紫外光电探测器等关键元器件的战略需求。