黄铜矿化合物具有类闪锌矿结构，有两个自由的结构参数η和δu（见图1），由于存在化学压力，在黄铜矿化合物结构中通常存在轻微结构扭曲导致η≠1和δu≠0。进一步考虑到系统中有两个不同的阳离子，与闪锌矿和Half-Heusler等材料不同，黄铜矿化合物不再具有立方对称性。这样的结果就是黄铜矿化合物能带中类Г8态四重简并不再受立方对称性的保护，而是劈裂成两个双重简并。基于这个对称性破缺，在反带的情形下，黄铜矿化合物不需要应变就可能形成一个自然的能隙，并成为拓扑绝缘体。 图2显示了黄铜矿化合物AuTlTe2、AuTlS2的能带结构可以通过具有反带结构的HgTe化学绝热演化而得到。对于类闪锌矿结构材料，反带结构是非平庸拓扑性质的标识，通过Z2拓扑不变量的计算确认，这里发现具有反带结构的AuTlS2是一个很好的拓扑绝缘体。通过对黄铜矿家族化合物 I-III-VI2 (I = Cu, Ag, Au; III = In, Tl; V = S, Se, Te)，II-IV-V2 (II = Zn, Cd, Hg; IV= Ge, Sn; V = As, Sb)的系统计算，他们进一步发现其中可能存在着大量的拓扑非平庸材料（见图3）。黄铜矿化合物是类闪锌矿结构中目前为止第一个不加应变就可能实现拓扑非平庸态的三元化合物，除了结构相似性，它们的晶格常数与主流半导体的晶格常数相匹配（见图3）。此外，目前在黄铜矿化合物中已发现室温铁磁体，这些有利条件都使得黄铜矿化合物在将来有着广泛的应用可能性。