微流控芯片加工的薄膜沉积的四种工艺
在加工微流控芯片的同时，需要在基片上沉积各种材料的薄膜。制造加工薄膜的四种方法：
氧化
氧化是将硅片在氧化环境中加热到900~1100℃的高温，在硅的表面上生长出的一层二氧化硅。
根据所用氧化剂的不同，氧化又可分为
水汽氧化：水汽氧化的氧化剂是水蒸气
干氧氧化：干氧氧化的氧化剂是氧气
湿氧氧化：湿氧氧化的氧化剂则介于水汽氧化和干氧氧化之间，是他们两者的混合物。
其化学反应方程式分别为：
Si+2H2O→SiO2+2H2 水汽氧化
Si+O2→SiO2 干氧氧化
化学气相沉积
化学气相沉积是气态反应物在反应器中通过特定的化学反应，使反应产物沉积在加热基片上镀膜过程的总称。
分为常压化学气相沉积、低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)。
一般而言常用化学气相沉积法制备多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜。
蒸发
薄膜制备工艺的蒸发是在真空环境中加热金、铬、铝、硅等单质或三氧化二铝、二氧化硅等化合物，使它们气化为气态原子或分子沉积在基片表面形成薄膜。
溅射
溅射镀膜的原理是在真空室内使微量氩气或氦气电离，电离后的离子在电场的作用下向阴极靶加速运动并轰击靶，将靶材料的原子或分子溅射出来，在作为阳极的基片上形成薄膜。
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