与由自旋轨道耦合所引起的拓扑绝缘体不同，孙庆丰、谢心澄此次预言的这类新的拓扑绝缘体与自旋轨道耦合无关，体系也不具有时间反演不变性，但具有CT不变性（C为电子-空穴电荷共轭变换，T为时间反演变换）。再者，处在平衡时，原来拓扑绝缘体的边界态只携带持续自旋流，而现在的边界态同时携带持续自旋流和持续电流。加电压时，现在的体系可以同时观察到量子自旋霍尔效应和量子霍尔效应。所以，这是一种新类型的拓扑绝缘体。
由于这类体系既有量子自旋霍尔效应也有量子霍尔效应，导致纵向电阻R14,23和霍尔电阻R14,26 都呈现平台结构。图1显示纵向电阻R14,23和霍尔电阻R14,26 对能量ε0和磁交换常数M的依赖关系。其中一些较小填充因子的电阻平台值已在图中标出。另外，他们也研究了这类体系的自旋霍尔阻抗。结果显示自旋霍尔阻抗RS也有量子化平台（见图2）。特别是，这种自旋霍尔阻抗的量子化平台有非常强的抗无序能力，即使无序强度W增加到带宽量级，自旋霍尔阻抗的平台还能保持。