霍尔效应测试仪的技术参数
1、变温，常温和液氮温度(77K)下测量；
阻抗:10-6 to 107
载流子浓度(cm-3):107 -1021
2、样品夹具：
弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；
3、测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
4、仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm
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1、变温，常温和液氮温度(77K)下测量；
阻抗:10-6 to 107
载流子浓度(cm-3):107 -1021
2、样品夹具：
弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；
3、测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
4、仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm
