光磁电效应和霍尔效应的异同
光磁电效应和霍尔效应的异同
虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。
体现在三个方面：
1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。
2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。
3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。
利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。
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光磁电效应和霍尔效应的异同
虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。
体现在三个方面：
1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。
2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。
3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。
利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。
