美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。
传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的纳米结构（称为“超材料”结构），在10伏以下的直流电压和低功率红外激光激发下，即可释放自由电子，从而极大地提高器件的电导率。
这一器件不可能完全替代半导体器件，但可能在特殊需求下得到最佳应用，如超高频器件或大功率器件。未来不同的超材料表面结构可能适用于不同类型的微电子器件，应用于光化学、光催化、光伏转化等领域。
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