在苏州纳米所访问期间，Russell Dupuis教授还应邀在第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会上作了题为Recent Advances
in the MOCVD Growth of III-N Light Emitting
Devices的大会邀请报告，介绍了他的课题组在InGaN基LED的Efficiency Droop问题方面的研究进展。
Russell Dupuis教授为佐治亚理工学院电子与计算机系Steve W.
Chaddick讲席教授、化合物半导体中心主任。1989年到2003年，Dupuis教授为德克萨斯大学奥斯汀分校的Judson S.
Swearingen讲席教授。在进入学术界前，Dupuis教授在AT&T Bell Laboratories、Rockwell
International、 Texas Instruments. Inc.等公司技术部门工作。在Rockwell
International工作期间，他取得了一系列国际领先，包括采用MOCVD技术生长了高性能的太阳能电池和LED，在国际上首次获得了室温连续工作的AlGaAs-GaAs量子阱激光器。他最近的工作领域包括III族氮化物光电子和电子器件(比如AlGaN-GaN
异质结晶体管、InGaN LED和激光器、AlGaN和GaN
p-i-n紫外雪崩探测器)，InP基量子级联激光器和探测器，InAlGaAsP激光晶体管。在Dupuis教授的职业生涯中，他获得了许多奖项，包括
2002年国家技术奖(National Medal of Technology)，2003年TMS学会John Bardeen奖，2007年IEEE
Edison奖。Dupuis教授还是美国国家工程院院士，IEEE、美国物理学会及美国光学学会院士。