微波低噪声晶体管
主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。
双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1/ 噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声和分配噪声，但存在一个肖特基栅感应噪声。
为了降低微波低噪声晶体管的噪声，对双极型晶体管来说，最重要的是减小基极电阻及各项串联电阻和接触电阻，减小寄生电容，减薄基区，减小少子的渡越时间等。对场效应晶体管来说，应尽可能降低源的串联电阻、接触电阻以及栅金属化电阻，尽量减小栅长（已达到亚微米量级），采用低温致冷技术等。
双极晶型体管和场效应晶体管的噪声来源不尽相同，但它们随频率和工作电流的变化规律是相似的。尽量降低白噪声和采用较小的工作电流，可以得到最佳效果。
硅双极型晶体管最高工作频率只达到8吉赫,而且在这一频率下噪声很大，无实用价值。一般只应用于 2吉赫以下，噪声系数为1～2分贝。
砷化镓场效应管的工作频率已达60吉赫。在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
推荐
