在进一步研究中，研究人员考虑了一个应力波导结构（见下图，宽度在50纳米左右）。当限制在沟道中的电子在边界发生全反射时，会沿着界面方向经历一个侧向位移，类似光学中的Goos-Hänchen效应。 研究证明了应力波导中的谷依赖的Goos-Hänchen效应会导致K和K’谷中的电子具有不同的波导模式, 不同的群速度, 从而应力波导对两种谷中的电子的导通能力有巨大差异。利用这一特性可以在应力波导的出射端得到高度谷极化的电流。
该研究成果发表在国际著名物理学期刊《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett., 106, 176802 (2011))。该项研究对于构建石墨烯谷电子学器件具有重要意义。
应力波导结构