美国莱斯大学的研究人员在美国化学学会最新出版的《纳米快报》杂志上指出，他们已经成功地制造出了可靠的小型数字开关——忆阻器（memristor），其尺寸远远小于传统制造方法制造出的规模，其宽度仅为5纳米。而在2005年，英特尔公司总裁克瑞格·贝瑞特在英特尔信息技术峰会上曾表示，传统工艺“设想达到的极限”是5纳米，超越这个极限，将遭遇电流泄漏等难题。
更重要的是，这项技术进步使用了二氧化硅（二氧化硅是芯片工业的基石）而不是其他新型材料，因此，也为其进一步商业化铺平了道路。莱斯大学的科学家表示，位于德州的新兴公司PrivaTran已经使用这项技术制造出了实验性的芯片，这些芯片能够存储和检索信息。
这些芯片现在仅仅能够存储1000个字节，但是，如果新技术达到其投资者的预期，拥有同现在最大容量的磁盘驱动器相当容量能力的芯片有望于5年内问世。
虽然早在2008年，惠普公司就宣布已经研发出了忆阻器，但是，其大规模的商业化生产还是一个问题。因为芯片设计公司在其现有电路上的投资已经十分庞大，生产基于忆阻器的开发工具和设计将花费更多，因为整个架构都必须重新考虑。因此，忆阻器技术的发展方向和发展速度，既是一个技术问题，也是一个商业问题。