欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。...
IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下,二电平逆变器功率0.5~3MW,三电平逆变器1~6MW;若反向二极管分离,不与IGCT集成在一起,二电平逆变器功率可扩至4/5MW,三电平扩至9MW。...
当温度升高时,晶体管放大倍数变大且ICE明显变大。以共射极电路为例,当温度升高时将使Q点向饱和区域移动;当温度降低时将使Q点向截止区域移动。 下图是典型的静态工作点电路 图AB均有相同的等效直流电路。为了稳定Q工作点,通常要满足I1>>IBQ而使得 VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1 通过这样设计使得无论环境温度怎么变化,VBQ将基本保持不变。 ...
当接通电源时,LC振荡回路产生的正弦振荡信号耦合到晶体管的基、射之间,经放大后的信号在集、射之间输出。这个电路的工作过程是:当LC振荡电路产生的振荡信号使基极电压下降的瞬间,由于晶体管的倒相作用,使集电极电压升高,这时C1、C2上电压的极性如图中所示。...
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