IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极广泛的应用。...
图4 基于铁电极化图案实现的MoS2双极型光电晶体管(a) 基于铁电极化图案制备npn双极型光电晶体管的原理示意图;(b)器件中实现npn光电晶体管所用的极化图案的压电力显微镜相位图;(c) npn光电晶体管在偏压下的能带示意图;(d) npn光电晶体管工作时的等效电路图。...
随着我们的大部分能量转换为电力,从智能手机、电动汽车到工业机器人等一切设备都需要更高效率、更致密的功率半导体器件如二极管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)等。今天的半导体行业正在基于晶圆发展开发下一代功率器件。宽带隙功率器件使制造更高性能、更可靠的组件成为可能,这些组件可以使功率效率提升并在更高的温度下工作。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号