通过生长出未掺杂的二硫化钼(一种n型半导体)的多层结构,研究小组实现了TMDC之间的厚p-n结,其载流子浓度达到了前所未有的高度。此外,他们发现该结呈现出负微分电阻(NDR)的趋势,即电压的增加导致电流的增加越来越少,这是隧道的一个关键特征,也是这些纳米材料进入TFET的重要第一步。该团队采用的方法也可以在大面积上扩展,使其适合在电路制造过程中实施。...
压电电子学效应是利用应变引起的界面极化电荷调制界面处能带结构并进而有效地调节和控制界面或结区的载流子输运过程的一个物理效应。迄今为止,压电效应和压电电子学效应的研究还限于块体、薄膜和一维纳米材料。部分二维层状材料如过渡金属硫化物(MoS2, MoSe2 和WTe2等)随着层数厚度的改变会呈现不同的晶体空间对称性:其三维块体形式具有中心对称性;但当其厚度减少到仅为一个原子层时,材料具有非中心对称性。...
近两年,有研究人员研究了Si/SiO2基体上的薄层磷烯晶体管的载流子迁移率,发现室温下磷烯场效应晶体管的载流子迁移率达300平方厘米/(伏·秒)。研究人员又对薄层磷烯场效应晶体管的性能研究发现,晶体管的载流子迁移率与磷烯厚度有关,当磷烯厚度小于10纳米时载流子迁移率可达1000平方厘米/(伏·秒)。薄层磷烯是一种在电子器件领域极具应用潜力的二维材料。...
虽然石墨烯的问世推动了包括过渡金属硫族化合物等一系列二维半导体材料的研究热潮,但性能优异且环境稳定的超薄半导体材料的可控制备仍处于科研探索阶段。...
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