该课题近期通过科技部验收,研究成果有力保障了我国SiC电力电子器件产业“材料—装备—器件”自主可控发展。 课题开发的SiC高温高能离子注入机、SiC 外延生长炉均为首台国产SiC器件制造关键装备,可满足铝离子注入最高能量达到700KeV,注入均匀性达到1%以内;SiC外延最高温度达到1700℃,生长均匀性达到3%以内。上述主要技术指标均已达到国际同期水平。...
大尺寸 AlN 单晶材料的研制成功将加快深紫外发光器件、 新型大功率射频器件的发展和在半导体照明、 医疗卫生、生物检测、微波通信等领域的应用。技术特点: 单晶片主要应用于:研究开发紫外、深紫外探测器和发光二极管;声表面波器件;气敏器件、压电器件和大功率微波器件。合作方式:技术转让或技术入股产业化所需条件: ZnO单晶:多温区气相生长炉。 AlN单晶:中频感应加热或钨丝网加热高温生长炉。...
外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又要求材料能耐高压和大电流,因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。气相外延炉能够为单晶沉底实现功能化做基础准备,气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺,其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续,而且与衬底的晶向保持对应的关系。...
外延片市场主要被IDM公司主导,如三菱、英飞凌和意法半导体。在国内纯粹做外延片的有瀚天天成和东莞天域,均可供应4-6英寸外延片,中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。器件方面,意法半导体、安森美、英飞凌和罗姆都是重要供应商,华润微的国内首条6寸商用SiC产线已经正式量产,三安光电拟投资160亿元的碳化硅全产业链布局的湖南子公司也于2020年开工。...
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