ASTM F95-89(2000)
ASTM F95-89(2000)
- 标准号
- ASTM F95-89(2000)
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F95-89(2000)
- 引用标准
- ASTM E177 ASTM E932 ASTM F84
- 适用范围
- 1.1 本测试方法2提供了一种测量沉积在硅衬底上的硅外延层厚度的技术。使用色散红外分光光度计。对于此测量，基材的电阻率在 23°C 时必须小于 0.02 V·cm，并且层的电阻率在 23°C 时必须大于 0.1 V·cm。
1.2 该技术能够测量厚度大于 2 µm 的 n 型层和 p 型层的厚度。由于精度降低，该技术也可应用于 0.5 至 2 µm 厚的 nand p 型层。
1.3 本测试方法适用于裁判测量。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。