例如,铟镓砷化物(InGaAs)覆盖了λ = 2.4 μm短波红外(SWIR;λ = 1-3 μm);锑化铟(InSb),中波红外光谱(MWIR;λ = 3-5 μm);碲化汞镉(HgCdTe),长波红外光谱(LWIR;λ = 8-14 μm)。这些探测器采用高温外延生长,模块化程度和内在脆弱性有限,通常需要低温冷却,与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术不兼容。...
曹元成团队在砷化铟中掺入锑元素,合成一种新的锑掺杂砷化铟纳米线,大幅降低了铟砷纳米线的结构缺陷,同时通过锑元素的自我催化功能,显著提升新物质对红外光子的响应性。曹元成说,这种纳米线对光的响应波长,达到了5.1微米,从而涵盖整个中红外光谱,是目前最长的红外波响应纳米线,可应用于室温下高效工作的中波红外、长波红外光电探测器、红外发射器、高灵敏度光电晶体管等等,是制造各种光电子设备的理想材料。 ...
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