S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
二、什么是功率半导体:功率半导体是能够支持高电压、大电流的半导体,在分立器件中占据主要地位。具有不同于一般半导体的结构,在使用高电压、大电流时也不会损坏。 功率半导体主要用于改变电压和频率;或将直流转换为交流,交流转换为直流等形式的电力转换。功率半导体器件,也就是我们说的电力电子器件,是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。...
异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件,其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过 FET,适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放器,HBT 为最佳组件的选择。...
在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管,可在一片硅片上制成一台微信息处理器,或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗,并使信息处理速度达到微微秒级。 微波器件 半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段,发射器件的功率已达到数瓦,人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。 ...
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