标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2....
Park纳米沙龙含有n沟道和p沟道过渡金属硫化物的范德华结场效应晶体管Park Journal 过去的十几年里,二维(2D)过渡金属硫化物(TMD)被公认在未来纳米电子学中存在了巨大的潜力,在材料和器件两个方面都得到了广泛的研究。主要的焦点是2D TMD半导体器件,这可能是现有或未来技术中最重要的部分。...
A: n型和p型器件截面图和栅堆垛层截面图;B-C: p型和n型碳管器件的转移曲线以及与硅基CMOS器件(Intel, 14 nm, 22 nm)的对比。D:碳管器件的本征门延时与14 nm硅基CMOS对比。课题组进一步探索5纳米栅长(对应3纳米技术节点)的碳纳米管晶体管。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号