SJ 20859-2002
军用毫米波.微波管陶瓷金属化膜层规范
Semiconductor photoelectric assembly Detail specification for miniature duplex photoelectric localizer for type CBGS 2301
SJ 20859-2002相似标准
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半导体元器件失效分析
分类(来源：2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式：开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式：接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式：漏电或短路，击穿特性劣变，正向压降劣变，开路可高阻失效机理：电迁移，热载流子效应，与时间相关的介质击穿(TDDB)，表面氧化层缺陷，绝缘层缺陷，外延层缺陷声表面波器件MEMS...
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