可控硅的主要参数可控硅的主要参数有:平均值1、 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。...
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流。...
它与GTR,MOSFET,IGBT,GTO等器件相比,有如下优点:(1)电压高、电流容量大,阻断电压已达3000V,峰值电流达1000A,最大可关断电流密度为6000kA/m2;(2)通态压降小、损耗小,通态压降约为11V;(3)极高的dv/dt和di/dt耐量,dv/dt已达20kV/s,di/dt为2kA/s;(4)开关速度快,开关损耗小,开通时间约200ns,1000V器件可在2s内关断;2....
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