SJ 50033/110-1996
半导体光电子器件GR9413型红外发射二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Detail specification for type GR9413 infrared light emitting diode

预览 SJ 50033/110-1996前三页
标准号
SJ 50033/110-1996
发布
1996年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/110-1996
 
 

SJ 50033/110-1996相似标准

GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范 SJ 53930/1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范 GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范 GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) GB/T 18904.5-2003 半导体器件 第12-5部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范

推荐

王中林小组发明高效紫外发光二极管

据王中林介绍，力、电、光三相中的两相耦合比如光电、力电和光力耦合效应已经获得了人们的广泛关注和大量研究，很多基于这些耦合效应的新型纳米器件被研制出来。这是一个远比两相耦合复杂的耦合系统，因此有更多有趣的具有重大研究价值的效应需要人们去探索，更多的器件等待人们去开发。　　研究人员将压电光电子学效应应用于紫外半导体发光二极管性能的改造中。半导体发光二极管的光发射由载流子的注入、复合和出射效率等决定。...

SJ 50033/110-1996 中可能用到的仪器设备

红外光谱仪


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号