CMOS 器件的问锁效应( latch-up) 是严重影响 CMOS 电路安全使用的失效机理。在扫描电镜中的静态电压衬度和闪频电压衬度可以观察分析整个电路中哪些部分发生了|习锁现象。发生问锁效应时,有关寄生晶体管呈导通状,大电流流过寄生 PN 通道中的阱 与衬底,造成在 P 阱里有较大的电位升高,同时 N 衬底的电位降低。...
因此,可控制中子辐射损伤和选用合适的退火工艺消除内部缺陷,提高 NTD 硅单晶质量。7. 半导体材料中的动力学现象如扩散和相变具有很重要的意义 用扫描电镜跟踪铝薄膜条在大电流密度下的电迁移行为,便可以得到有关空洞移动和熔化解润失效的细节。此外,利用 X 射线显微分析技术也可以对半导体材料进行各种 成分分析。...
因此,在设计高性能认知无线电信号传感器芯片等通信用集成电路时,面临的主要障碍是实现信号(波形)识别处理的超高性能和能效。CLASIC是DARPA“自适应射频技术”(ART)项目的一部分,目标是实现单片、高性能、超高能效、信号识别集成电路(IC),满足认知通信、雷达和电子战等领域用下一代军用微系统使用需求。...
;工艺:用膜工艺制作无源元件,用半导体IC或晶体管制作有源器件。...
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