SJ 1976-1981
CS3型低频场效应半导体管
Detail specification for low frequency field-effect transistors,Type CS3
2010-02
SJ 1976-1981相似标准
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二极管和三极管的命名原则
S－表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A－PNP型高频管、B－PNP型低频管、C－NPN型高频管、D－NPN型低频管、F－P控制极可控硅、G－N控制极可控硅、H－N基极单结晶体管、J－P沟道场效应管、K－N 沟道场效应管、M－双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
详解：MOS管和IGBT的区别
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。...
MOS场效应管电源开关电路简介
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。...
场效应管的类型介绍
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...