SJ 1980-1981
CS7型高频场效应半导体管
Detail specification for high frequency field-effect transistors,Type CS7
2010-02
- 标准号
- SJ 1980-1981
- 发布
- 1982年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 1980-1981
SJ 1980-1981相似标准
推荐
详解：MOS管和IGBT的区别
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。...
SiC半导体中膜厚测量解决方案
功率二极管结势垒肖特基（JBS）二极管PiN二极管和超结二极管功率开关管金属氧化物半导体场效应开关管（MOSFET）结型场效应开关管（JFET）双极型开关管（BJT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）门极可关断晶闸管（GTO）发射极可关断晶闸管（ETO）04 SiC半导体应用 碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。...
二极管和三极管的命名原则
S－表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A－PNP型高频管、B－PNP型低频管、C－NPN型高频管、D－NPN型低频管、F－P控制极可控硅、G－N控制极可控硅、H－N基极单结晶体管、J－P沟道场效应管、K－N 沟道场效应管、M－双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
MOS场效应管电源开关电路简介
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。...