SJ 50033/140-1999
半导体光电子器件 3DA502型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA502 silicon microwave pulse power transistor


标准号
SJ 50033/140-1999
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/140-1999
 
 

SJ 50033/140-1999相似标准


推荐

一文了解半导体的过去、现在和未来

AlGaN/GaN异质结双极晶体管具有线性好、电流容量大、阈值电流均匀等优点,主要应用在线性度要求高、工作环境苛刻的大功率微波系统中,如军用雷达、通信等;还可应用于在苛刻环境下工作的智能机器人等系统中。4、集成光学和集成光电子学    由集成在半导体薄膜上的激光器、调制器、波导、光栅、棱镜和其它无源光学元件构成的系统叫做集成光学系统。...

一文读懂半导体的历史、应用、未来

AlGaN/GaN异质结双极晶体管具有线性好、电流容量大、阈值电流均匀等优点,主要应用在线性度要求高、工作环境苛刻的大功率微波系统中,如军用雷达、通信等;还可应用于在苛刻环境下工作的智能机器人等系统中。4.集成光学和集成光电子学    由集成在半导体薄膜上的激光器、调制器、波导、光栅、棱镜和其它无源光学元件构成的系统叫做集成光学系统。...

第三代半导体材料及应用产业发展报告(2016)

表2  2016年国内第三代半导体材料相关部分政策措施颁布时间颁布机构名称内容2016.07国务院《“十三五”国家科技创新规划》提出发展新一代信息技术,发展微电子和光电子技术,重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和光电子、混合光电子微波光电子等技术与器件的研发。...

常见功率半导体器件简历

上述这些优异的物理特性,决定了碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流条件下,SiC器件的漂移区电阻要比低200倍,即使高耐压的SiC场效应管的导通压降,也比单极、双极器件的低得多。而且,SiC器件的开关时间可达10nS量级,并具有十分优越的FBSOA。...


SJ 50033/140-1999 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号