SJ 50033/141-1999
半导体分立器件2EK150型砷化镓高速开关二极管详细规范
Semiconductor discrete devices.Detail specification for type 2EK150 GaAs high speed switching diode
SJ 50033/141-1999相似标准
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2:肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。...
最全面的二极管知识分享
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聚焦半导体产业与等离子技术工艺——2019牛津仪器等离子技术研讨会在武汉隆重举行
牛津仪器目前超过50%的用户都是量产型用户，通过举办类似的线下用户会，与用户面对面交流，第一时间了解到用户的问题和攻克的难点，确定攻克方向上的优先顺序。在传统领域，牛津仪器主要是帮助量产型用户提升产能、良率;在新领域研发方面，牛津仪器也在关注二维材料等领域，虽然三到五年内尚不会成为主流，但其发展潜力看好。包括砷化镓，碳纳米管以及二硫化钼等低维材料都有希望成为替代硅的晶体管材料。...