SJ 2215.10-1982
半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法

Method of measurement for direct current transfer ratio of semiconductor photocouplers

2015-10

SJ 2215.10-1982 发布历史

SJ 2215.10-1982由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1982-11-30,并于 1983-07-01 实施。

SJ 2215.10-1982 在中国标准分类中归属于: L54 半导体光敏器件,在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。

SJ 2215.10-1982的历代版本如下:

SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 于 2015-04-30 变更为 SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法。

 

SJ 2215.10-1982

标准号
SJ 2215.10-1982
发布
1982年
发布单位
行业标准-电子
替代标准
SJ/T 2215-2015
当前最新
SJ/T 2215-2015
 
 

SJ 2215.10-1982相似标准


推荐

耦合器相关介绍

  耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称耦。它是以为媒介来传输电信号器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电——电”转换。...

Nature Nanotechnology:用于硅光子集成电路碲化钼基发光二极管和光电探测器

(d)MoTe2转移前后波导传输,其中黄色线和绿色线分别为转移前与后。蓝色线为光栅耦合器放射谱,对于其他双分子层器件,顶端和底端氮化硼厚度分别为80和100nm。图4:集成了双分子层MoTe2 NP结硅波导室温下光电流响应(a)在Vlg=-Vrg=15V,光栅耦合器入射激光功率在0-19μW下,半对数范围内Ids-Vds拟合曲线。...

锁相放大器OE1022在黑磷中激子Mott金属绝缘体转变测量中应用

顶栅电压(VTG)和底栅电压(VBG)被施加用于控制样品(DBP)中载流子密度和电位移场。(b) 干涉仪设置示意图,其中M1,M2和BS分别代表可移动镜子,静止镜子和分束器。在实验中,迈克耳孙干涉仪光程被固定在零。直流电流直接通过半导体分析仪(PDA FSpro)读取。...

基于化合物半导体材料高速开关研究2

测试中未使用偏振控制装置, 输入信号为TE 和TM混合模式. X 结全内反射型开关开关特性如图7(a)所示, 在注入电流为70 mA 时, 器件消超过20 dB. MZI 型开关特性如图7(b)所示,  在注入电流为80 mA时, 完成了完全切换, 消超过25dB. 同时, 我们还对MZI 型开关进行了波长、偏振特性测试....





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号