SJ 2215.10-1982由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1982-11-30,并于 1983-07-01 实施。
SJ 2215.10-1982 在中国标准分类中归属于: L54 半导体光敏器件,在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。
SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 于 2015-04-30 变更为 SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法。
光耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。...
(d)MoTe2转移前后波导的传输,其中黄色线和绿色线分别为转移前与后。蓝色线为光栅耦合器的放射谱,对于其他的双分子层器件,顶端和底端氮化硼的厚度分别为80和100nm。图4:集成了双分子层MoTe2 NP结的硅波导室温下光电流响应(a)在Vlg=-Vrg=15V,光栅耦合器的入射激光功率在0-19μW下,半对数范围内Ids-Vds的拟合曲线。...
顶栅电压(VTG)和底栅电压(VBG)被施加用于控制样品(DBP)中的载流子密度和电位移场。(b) 干涉仪设置的示意图,其中M1,M2和BS分别代表可移动镜子,静止镜子和分束器。在实验中,迈克耳孙干涉仪的光程被固定在零。直流光电流直接通过半导体分析仪(PDA FSpro)读取。...
在测试中未使用偏振控制装置, 输入光信号为TE 和TM混合模式. X 结全内反射型光开关的开关特性如图7(a)所示, 在注入电流为70 mA 时, 器件消光比超过20 dB. MZI 型的开关特性如图7(b)所示, 在注入电流为80 mA时, 完成了光路的完全切换, 消光比超过25dB. 同时, 我们还对MZI 型的光开关进行了波长、偏振特性的测试....
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