硅双极型晶体管最高工作频率只达到8吉赫,而且在这一频率下噪声很大,无实用价值。一般只应用于 2吉赫以下,噪声系数为1~2分贝。 砷化镓场效应管的工作频率已达60吉赫。在工作频率1~12吉赫下,噪声系数仅0.5~1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。...
后者由于半导体衬底和工作元件之间存在着有害的相互作用,发展较前者慢。同时应用于微波的微波集成电路和从Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器和光纤维导管为基础的光集成电路也正在发展之中。 半导体集成电路除以硅为基础的材料外,砷化镓也是重要的材料,以它为基础材料制成的集成电路,其工作速度可比硅集成电路高一个数量级,有着广阔的发展前景。...
砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多,因此采用特殊的工艺,早期为 MESFET 金属半导体场效应晶体管,后演变为 HEMT ( 高速电子迁移率晶体管),pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为 HBT ( 异质接面双载子晶体管)。...
今年发布的《国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》将“集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺突破”、“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”写入了“科技前沿领域攻关”部分。 ...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号