随着我们的大部分能量转换为电力,从智能手机、电动汽车到工业机器人等一切设备都需要更高效率、更致密的功率半导体器件如二极管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)等。今天的半导体行业正在基于晶圆发展开发下一代功率器件。宽带隙功率器件使制造更高性能、更可靠的组件成为可能,这些组件可以使功率效率提升并在更高的温度下工作。...
但它可以实现较多的晶体管并联,导通的大电流,因此被用于低电压和大电流的工作环境。3、IGBT IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。...
根据晶体管的开关特性和半导体内的主要载流子,晶体管的极性可以分类为单极(空穴主导的p型或电子主导的n型)或双极型(电子和空穴的共同贡献)。显然,双极型晶体管能够将p型和n型电学性能集成到单个器件中,从而引起了有机化学和器件科学等各个领域的研究人员的广泛关注和讨论。尽管如此,根据半导体物理学,理论上每个半导体都能够迁移空穴和电子,但到目前为止绝大多数晶体管仍然显示出单极型主导的电荷传输。...
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