SiC与第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第 2 代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比,其禁带宽度更宽,耐高温特性更强,开关频率更高,损耗更低,稳定性更好,被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。...
2021/1/29143电子材料、印制板及其组装件的测试方法第5-1 部分:印制板组装 件通用测试方法 印制板组装件导则制订2021/1/29144紧固件 验收检查修订2021/1/29145文物出境审核规范 第24部分:珐琅器制订2021/1/29146电动汽车无线充电系统 第9部分:车载充电机和无线充电设备之间的通信协议 应用层及数据链路层制订2021/1/29147利用重复性、再现性和正确度的估计值评估测量不确定度的指南修订...
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第1部分:总规范GB/T 12631-2017印制板导线电阻测试方法GB/T 13842-2017掺钕钇铝石榴石激光棒GB/T 15651.4-2017半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器GB/T 16261-2017印制板总规范GB/T 33772.1-2017质量评定体系 第1部分:印制板组件上缺陷的统计和分析GB/T 4722-2017印制电路用刚性覆铜箔层压板试验方法...
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