线宽的量变导致制造原理和互连工艺的质变,需要其装备及制造互连流程不断进行技术升级和变革。美国纽约州伦斯勒理工学院科学家的最新试验显示,在 45 nm 及以下的制造工艺中,碳纳米管材料的性能已经超过目前普遍使用的铜互连工艺,采用碳纳米管来作为芯片上互连导线的材料,可以降低阻抗,从而降低功率,包含详细量子效应的芯片模拟试验表明:CNTs可用作 3D 互连材料,电流密度高出铜互连线三个数量级。...
长期在纳米碳材料的物理化学领域开展研究工作,坚持探索碳纳米管等纳米碳材料的结构控制生长规律,发展纳米材料结构与物性的谱学表征方法,通过催化剂的设计,突破了碳纳米管结构控制与高效生长的难题,推动了我国纳米碳材料基础研究的进步。7....
Science:三维DNA纳米槽中碳纳米管阵列的精确间距标度传统晶体管光刻技术成功缩短硅材料的沟道间距(单个晶体管内两个相邻沟道之间的间距),然而对于超尺度技术,一维半导体(如CNTs)的性能却下降。使用物理和化学等方法识别组装的碳纳米管薄膜普遍存在着交叉、捆绑(多个碳纳米管并排聚集)和不规则节距等组装缺陷。...
由乙醇化学气相沉积法控制SWNTs手性同年IBM研究中心的曹庆等人使用了一种新策略来制造碳纳米管晶体管的触点,在减小尺寸同时保持了较低的接触电阻。为了保证在触点间传输足够的电流,他们在触点之间设置了由数根平行半导体碳纳米管(s-CNT)组成的阵列。最终制得的p-沟道晶体管,尺寸仅有40 nm,是目前报道的最小记录。...
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