DIN 51456:2013-10
半导体技术材料测试 使用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)在水性分析溶液中进行多元素测定 对硅晶片进行表面分析

Testing of materials for semiconductor technology - Surface analysis of silicon wafers by multielement determination in aqueous analysis solutions using mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)


标准号
DIN 51456:2013-10
发布
2013年
发布单位
德国标准化学会
当前最新
DIN 51456:2013-10
 
 

DIN 51456:2013-10相似标准


推荐

一大波货真价实的半导体行业干货袭来

01痕量金属及无机元素杂质检测方案(1)VPD 溶液分析气相分解- 电感耦合等离子体质联用(VPD-ICP-MS)法,具有业界所需的检测限和稳定性,测试结果快速可靠,广泛应用于晶片测试晶片的纯度一般要求99.9999999%以上。纯度要求如此之高,这就到了ICP-MS 大显身手的时候了!...

【精讲】ICP-MS半导体行业的应用

电感耦合等离子体质分析法是将电感等离子体(ICP)技术和质(MS)技术结合起来, 利用等离子体作为离子源,由接口将等离子体中被 电离了的试样离子引入质谱仪,用质谱仪离子进行质量分析(按m/Z比值将不同的离子分开)并检测记录,根据所得质进行定性定量分析ICP-MS的组成及工作条件:ICP-MS由ICP焰炬,接口装置和质谱仪三部分组成;若使其具有好的工作状态,必须设置各部分的工作条件。...

赋能创“芯” | 赛默飞助力半导体开启良率提升新征程!

晶圆表面VPD-ICPMS检测方案在生产制造过程,常用气相分解-电感耦合等离子体质联用(VPD-ICP-MS)方法检测晶片纯度,其纯度要求99.9999999% 以上。...

半导体杂质检测难?半导体专用ICP-MS来帮你!

采集数据比瞬时信号更快的纳米信号积分图悬浮物1~4归一化颗粒尺寸分布频次图扫描上方二维码即可下载右侧白皮书➡《使用单颗粒电感耦合等离子体质谱法(SP-ICP-MS)分析CeO2 化学机械抛光化浆料》On-line ICP-OES 在线监控磷酸含量最新的立式3D NAND 闪存的生产工艺,需要使用磷酸进行湿法刻蚀。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号