EN IEC 60749-17:2019
半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation

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标准号

EN IEC 60749-17:2019

发布

2019年

发布单位

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization

当前最新

EN IEC 60749-17:2019

 

 

适用范围

进行中子辐照测试是为了确定半导体器件对非电离能量损失 (NIEL) 退化的敏感性。 本文描述的测试适用于集成电路和分立半导体器件，并且旨在用于军事和航空航天相关应用。 这是一个破坏性的测试。 测试的目的如下： a) 检测和测量关键半导体器件参数随中子注量 的变化； b) 确定在暴露于指定水平的中子能量后，指定的半导体器件参数是否在指定的限度内。 中子注量（见第 6 条）。

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