三种集成电路的比较:第三章 微电子封装技术与失效1、微电子封装的分级:• 零级封装:通过互连技术将芯片焊区与各级封装的焊区连接起来;• 一级封装(器件级封装):将一个或多个IC芯片用适宜的材料封装起来,并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(FC)连接起来,使之成为有功能的器件或组件,包括单芯片组件SCM和多芯片组件MCM两大类• 二级封装(板极封装):将一级微电子封装产品和无源元件一同安装到印制板或其他基板上...
将互连线路(连接芯片上不同电子元件的金属线)的尺寸最小化,对设备的小型化至关重要。互连线是由不导电(介质)层彼此隔离的。到目前为止,研究主要集中在降低尺度互连线路的电阻上。而互连隔离材料,必须具有较低的相对介电常数(κ值),作为阻挡金属向半导体迁移的扩散屏障,并且在热、化学和机械上都是稳定的。具体来说,国际设备和系统路线图建议到2028年开发出κ值小于2的电介质。...
4.3.1 2.5D/3D 垂直互连技术2.5D/3D 垂直互连技术基于多学科多专业 , 融合了系统设计和微纳集成工艺 , 以实现不同材料、不同结构、不同工艺、不同功能元器件的三维异构集成 , 是以突破摩尔定律极限为目的, 重点解决天线阵列微系统内部高速、高频、大功率传输下的超高密度互连难题 . 2.5D/3D 互连通过基材过孔金属化垂直互连技术和凸点技术进行电气垂直互连 ....
SiC与第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第 2 代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比,其禁带宽度更宽,耐高温特性更强,开关频率更高,损耗更低,稳定性更好,被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。...
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