EN 62047-16:2015
半导体器件-微机电器件-第16部分：测定 MEMS 薄膜残余应力的试验方法 晶片曲率和悬臂梁偏转方法

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films – Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

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标准号

EN 62047-16:2015

发布

2015年

发布单位

欧洲电工标准化委员会

当前最新

EN 62047-16:2015

 

 

适用范围

IEC 62047-16:2015规定了测量厚度在0.01μm范围内的薄膜残余应力的测试方法。 至10μ；在通过晶圆曲率或悬臂梁偏转方法制造的 MEMS 结构中。

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