FD P88-000*FD CEN/TR 16705:2015
周边保护 性能分类方法

Perimeter protection - Performance classification methodology


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 FD P88-000*FD CEN/TR 16705:2015 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，点击右侧 “购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

 

标准号
FD P88-000*FD CEN/TR 16705:2015
发布
2015年
发布单位
法国标准化协会
 
 

FD P88-000*FD CEN/TR 16705:2015相似标准

BS PD CEN/TR 16705:2014 周边防护. 性能分类方法 PD CEN/TR 16705:2014 周界防护.性能分级方法 AS/NZS 2512.6:1998 防护头盔检测方法方法6：水平周边视力间隙的测量 GOST 26568-1985 振动.保护的方法和措施.分类 STB 8053-2015 确保白俄罗斯共和国测量一致性的系统 台眼科周边 验证方法

推荐

SBC 基础课程：CAN/LIN SBC初学者指南

SBC对于市场来说不是新生事物，但是，近期在集成和性能方面的创新均拓展了这些设备的使用。对汽车设计师而言，其高水平的集成和更高的可靠性可以使其实现质量更轻和成本更低的设计。从经典CAN向灵活数据速率CAN（CAN FD）的转型，要求解决方案能够弥补CAN FD控制器处理器可用性之间的差距，同时亦有助于增加经典CAN／CAN FD总线的数量。...

如何利用参考设计解决Type-C开发过程中的疑难杂症？-2

功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据，相比体硅工艺（28纳米HKMG工艺），28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%，性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX（22纳米FD-SOI工艺）支持超低电压运行，只需0.4V电压就能够支持逻辑运算，与28纳米HKMG工艺相比，功耗降低了70%，漏电流只有约1pA/um。...

除了低功耗与低成本 FD-SOI还有什么优势？（一）

功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据，相比体硅工艺（28纳米HKMG工艺），28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%，性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX（22纳米FD-SOI工艺）支持超低电压运行，只需0.4V电压就能够支持逻辑运算，与28纳米HKMG工艺相比，功耗降低了70%，漏电流只有约1pA/um。...

1 ,6-二磷酸果糖对热性惊厥大鼠学习记忆和情感...（二）

2 　结　果2. 1 　PAT 中学习记忆的变化　FD 组大鼠在达到学会程度时错误次数最少,同NS、FS 组有显著性差异( q = 6. 63 ,6.29 ; P < 0. 01) 。24 h 后FD 组大鼠的记忆潜伏期最长,同NS、FS 组差异有显著性( q = 5. 76 ,6. 03 ; P < 0. 01) 。表明FDP 对反复热性惊厥导致的近期学习记忆受损有保护作用。见表1 。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号