DB53/T 501-2013
多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定电感耦合等离子体质谱法

Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry for Determination of Trichlorosilane Impurity Element Content in Polysilicon

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标准号: DB53/T 501-2013
发布: 2013年
发布单位: 云南省地方标准
当前最新: DB53/T 501-2013

适用范围: 本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的方法。本标准适用于改良西门子法生产多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的测定。

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