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根据发射光谱可以计算得到LED的色度坐标和显色指数,以及半导体的带隙等基本性质。时间分辨的电致发光光谱可用于探究器件对短电压脉冲的电发光响应,以研究器件中的载流子动力学,如有机半导体(OLED)中的三重态形成。大多数典型的LED由III-V族化合物半导体构成。III-V半导体是指包含元素周期表中第III族(B, Al, Ga, In)和第V族 (N, P, As, Sb)元素的合金材料。...
来自韩国的研究人员利用溶液可加工氧化钒(V2O5)空穴注入层制备了双功能量子点发光二极管(QLEDs)以控制载流子传输行为。该器件可根据不同的工作电压条件显示可选的光电检测和发光功能。在8.6 V正向偏压下的最大亮度为31668cd/m2。同时,该器件可以在反向偏压条件下作为光电探测器工作。该器件在反向偏压下完全关闭,而在器件上520 nm波长光的照明过程中观察到光电流的增加。...
宽禁带和超宽禁带半导体具有高频率、高功率、高耐压、高工作温度、高光效和全光谱等优点,可用于开发高性能的电力电子、射频和光电子器件。自上世纪90年代初氮化镓外延技术取得重大突破以来,Ⅲ族氮化物半导体的研究和产业化在蓝白光发光二极管和高电子迁移率晶体管方面取得了重大进展,带动了半导体照明和大功率微波技术和产业的快速发展。...
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