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透射电镜的分辨率为0.1~0.2nm,放大倍数为几万~几十万倍。由于电子易散射或被物体吸收,故穿透力低,必须制备更薄的超薄切片(通常为50~100nm)。常见的制样方法有粉末法、化学减薄法、双喷电解减薄法、离子减薄法、复型法。NiCr/TiC中的位错网络电子背散射衍射(EBSD) 扫描电镜附件之一,一般用于观察晶粒平均尺寸、分布取向、晶界特征统计、位错密度高低等微观信息。...
NiCr/TiC中的位错网络 电子背散射衍射(EBSD) 扫描电镜附件之一,一般用于观察晶粒平均尺寸、分布取向、晶界特征统计、位错密度高低等微观信息。样品表面要求较高,制样复杂。电子束入射到晶体上发生散射后,散射电子入射到某些晶面,发生布拉格衍射(强反射)。强反射后逃离样品表面的电子称为背散射电子。...
图8 计算机模拟的晶界示意图(Scientific American, Sept. 1967)[6]图9 层错、孪晶示意图3.检测方法电子显微术在固体科学中的应用大致经历了三个阶段,最初是20世纪50~60年代对薄晶体的电子衍衬观测和分析,然后是70年代对极薄晶体的高分辨结构像和原子像的观察,最后是80年代发展起来的对纳米尺寸区域进行微束结构分析的分析电子显微术,与之相对应的是透射电子显微学、高分辨电子显微学和分析电子显微学...
原理:利用入射电子束在试样中发生非弹性散射,电子损失的能量DE直接反映了发生散射的机制、试样的化学组成以及厚度等信息,因而能够对薄试样微区的元素组成、化学键及电子结构等进行分析。适合分析材料:由于低原子序数元素的非弹性散射几率相当大,因此EELS技术特别适用于薄试样低原子序数元素如碳、氮、氧、硼等的分析。注意事项:EELS对TEM配置要求更高,一般TEM不含该附件,不是通用测试手段。...
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