PD IEC/TR 63133:2017由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2018-01-29。
半导体行业的发展日新月异,对集成电路器件加工尺寸的控制也要求日趋精细。芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸,其中最小的特征尺寸称为关键尺寸,其大小代表了半导体制造工艺的复杂性水平。对关键尺寸测量也可称为纳米尺度线宽测量,目前半导体的刻蚀线宽已经降到10纳米以下,其测量的精准性直接决定着器件的性能。纳米器件尺度的准确和精确(精度...
半导体行业的发展日新月异,对集成电路器件加工尺寸的控制也要求日趋精细。芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸,其中最小的特征尺寸称为关键尺寸,其大小代表了半导体制造工艺的复杂性水平。对关键尺寸测量也可称为纳米尺度线宽测量,目前半导体的刻蚀线宽已经降到10纳米以下,其测量的精准性直接决定着器件的性能。纳米器件尺度的准确和精确(精度...
基于获得的高稳定性、光吸收扩展的钙钛矿材料,半导体所团队研制出认证效率为25.6%的钙钛矿太阳能电池(图2A),为目前公开发表的单结钙钛矿太阳能电池世界最高效率。电池器件1000小时放置和85摄氏度加速老化分别保持初始效率的96%和80%(图2B,2C)。该工作同时实现了钙钛矿太阳能电池的高光电转换效率和高稳定性,为钙钛矿电池的进一步发展以及产业化奠定了坚实的基础。...
缺陷检查和复检 随着半导体器件依靠摩尔定律变得越来越小,感兴趣的缺陷(DOI)的大小也在减小。DOI是可能降低半导体器件性能的缺陷,因此对工艺良率管理非常重要。DOI尺寸的减小对缺陷分析来说是一个挑战:合适的表征方法必须能够在两位数或一位数纳米范围内以高横向和垂直分辨率对缺陷进行无创成像。 传统上,半导体行业的缺陷分析包括两个步骤。...
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