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在同样的耐压和电流条件下,SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍,即使高耐压的SiC场效应管的导通压降,也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且,SiC器件的开关时间可达10nS量级,并具有十分优越的FBSOA。SiC可以用来制造射频和微波功率器件,各种高频整流器,MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高频功率器件已在Motorola公司研发成功,并应用于微波和射频装置。...
目前,碳化硅功率器件主要包括功率二极管和功晶体管。功率二极管主要包括结势垒肖特基二极管 JBS、PiN 二极管和混合 PIN肖特基二极管 MPS,功率晶体管主要包括 MOSFET、结型场效应晶体管 JFET、双极型晶体管 BJT、IGBT、门极可关断晶闸管 GTO 和发射极可关断晶闸管 ETO 等。...
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