IEC 60749-19:2003
Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 19: Die shear strength (Edition 1.0)

Dispositifs à semiconducteurs Méthodes d?essais mécaniques et climatiques Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement (Edition 1.0)

被代替

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标准号

IEC 60749-19:2003

发布

2003年

发布单位

IEC - International Electrotechnical Commission

替代标准

IEC 60749-19:2010

当前最新

IEC 60749-19:2003/AMD1:2010

 

 

被代替标准

IEC 47/1664/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002

适用范围

IEC 60749 的这一部分确定（参见注释）用于将半导体芯片连接到封装头或其他基板的材料和程序的完整性（就本测试方法而言，术语“半导体芯片”应包括无源元件） 。该测试方法通常仅适用于空腔封装或作为过程监控器。它不适用于大于 10 mm 的芯片区域。它也不适用于倒装芯片技术或柔性基板。注：此确定基于对芯片或元件施加的力的测量，如果发生故障，则基于施加力导致的故障类型以及残留芯片连接介质和头部的视觉外观/基材金属化。

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