就切割成的单个 InP 晶片而言,由于受生长时的固液界面的影响,铁原子从晶片中心向外呈同心圆状分布,这显然也不能满足一些器件应用的需要。所有这些因素是目前制约半绝缘磷化铟单晶片生产质量的最大障碍。 最近几年国内外的研究表明,通过在一定气氛下高温退火处理低阻非掺杂 InP 晶片所获得的半绝缘衬底可以克服上述问题。...
综上所述,本文发展了一种获得结构的准单c-Cu2O晶片的SATO方法,晶粒度为厘米级。本文发现,热接触应力应变能取代了表面能,前所未有地决定了准单一c-Cu2O晶片的晶体取向。...
半绝缘型衬底主要由日本的住友、德国的Freiberger、和美国的AXT垄断,三家公司合计约占全球90%的市场份额。住友是全球半绝缘型砷化镓单晶片水平最高的公司,以VB法生产砷化镓为主,能够量产4寸和6寸单晶片;德国Freiberger主要以VGF、LEC法生产2到6英寸砷化镓衬底,产品全部用于微电子领域;美国AXT产品中一半用于LED,一半用作微电子衬底。...
4,欧姆接触的制作。欧姆接触是器件电极引出十分重要的一项工艺。在碳化硅晶片上制造金属电极,要求接触电阻低于10- 5Ωcm2,电极材料用Ni和Al可以达到,但在100℃ 以上时热稳定性较差。采用Al/Ni/W/Au复合电极可以把热稳定性提高到600℃、100h ,不过其接触比电阻高达10- 3Ωcm2 。所以要形成好的碳化硅的欧姆接触比较难。 5,配套材料的耐温。...
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