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半导体产业发展至今经历了三个阶段:硅材料,砷化镓材料,再到以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体(Wide bandgap semiconductor)。第一代半导体材料以硅为代表,引发了集成电路(IC)为核心的微电子领域迅速发展。第二代半导体材料以砷化镓为代表,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。...
作为一项规则,晶圆是底面下从初始厚度350 μ m 到尽可能少的 100 μ m,根据不同的应用。 4 英寸晶圆制成的砷化镓 (GaAs) 或氮化镓 (GaN),是高频应用的材料,它大约两个小时为砷化镓,并且更长时间的氮化镓。 要达到的目标厚度,晶圆必须多次测量。直到zui近,这个过程的测量都是接触式测量的。 这种方法的工作原理如下,在它被粘到一个载体之前要测量晶圆的厚度。...
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