ASTM F1526-95(2000)
ASTM F1526-95(2000)
- 标准号
- ASTM F1526-95(2000)
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1526-95(2000)
- 引用标准
- ASTM E122 ASTM E135
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖使用全反射 X 射线荧光光谱（TXRF2）和单色 X 射线源定量测定抛光单晶硅基板表面的元素面密度。 3 1.2 本测试方法可用于n型和p型硅。
1.3 本测试方法可用于检测高度镜面抛光硅片的分析物深度约 5 nm 内的表面元素污染。分析深度随着表面粗糙度的增加而增加。 4 1.4 该测试方法对于确定清洁后抛光硅片的自然氧化物或化学生长氧化物的表面元素面积密度特别有用。
1.5 该测试方法适用于测量区域内 109 至 1015 个原子/cm2 之间的元素面密度。有关重复性和检测限之间关系的讨论，请参阅附录 A1。
1.6 该测试方法可用于检测原子序数在 16 (S) 和 92 (U) 之间的元素，具体取决于仪器中提供的 X 射线源。该测试对于检测以下金属或元素特别有用：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
1.7 检测限取决于原子序数、激发能、激发X射线的光子通量、仪器背景、积分时间和空白值。对于恒定的仪器参数，无干扰检测限作为元素原子序数的函数变化两个数量级。
1.8 本试验方法是非破坏性的。
1.9 该测试方法是对各种其他测试方法的补充：
1.9.1 用于化学分析的电子能谱，可以检测低至 10 13 原子/cm2 量级的元素表面积密度。
1.9.2 俄歇电子能谱，可检测低至 102 个原子/cm 2 数量级的元素表面面积密度。
1.9.3 氮束卢瑟福背散射光谱法，可以检测低至 1010 个原子/cm2 的某些元素，但不能质量解析原子序数附近的重元素。
1.9.4 二次离子质谱法，可检测 108 至 1012 原子/cm2 范围内的低原子序数元素面密度，但不能为原子序数为 22 钛至 30 锌之间的过渡金属提供足够的检测限。这种方法是破坏性的。
1.9.5 表面金属的气相分解（VPD），然后进行原子吸收光谱（AAS），其中金属检测限为 10 8 至 1011 个原子/cm2，但没有可用的空间信息，分析时间长于TXRF。这种方法是破坏性的。
1.10 本测试方法采用X射线；绝对有必要避免个人暴露于 X 射线。让手或手指远离 X 射线路径并保护眼睛免受散射二次辐射尤为重要。建议使用商业胶片徽章或剂量计服务，并使用用标准核源校准的盖革-穆勒计数器定期检查手部和身体位置的辐射水平。目前，个人全身无限期暴露于量子能小于 3 MeV 的外部 X 辐射的最大允许剂量为每日历季度 1.25 R (3.22 3 10 -4 C/kg)（相当于 0.6 mR/ h (1.5 3 10 −7 C/kg-h)，如《联邦法规》第 10 章第 20 部分规定。目前在相同条件下手和前臂暴露的最大允许剂量为 18.75 R (4.85 3 10 − 3 C/kg) 每个日历季度（相当于 9.3 mR/h (2.4 3 10 −6 C/kg-h)）。除了上述规定外，其他各种政府和监管组织也有自己的安全要求。用户有责任确保设备和条件 1 本测试方法由 ASTM 电子委员会 F01 管辖，并由硅材料和过程控制小组委员会 F01.06 直接负责。当前版本于 9 月 15 日批准，1995 年。1995 年 11 月出版。最初出版为 F 1526 – 94。上一版 F 1526 – 94a。 2 有几个常用的缩写词：TXRF、TRFA 和 TRXRF；然而，TXRF 在技术文献中是最常见的。 3 有些非单色 TXRF 仪器已不再市售，并且不提供本文所述的检测限。 4 Hockett, RS 解决了晶圆背面粗糙度的极端情况，“基板背面污染的 TXRF 测量”，半导体器件制造中的清洁技术，ECS Proceedings，第 92-12 卷，电化学协会，Inc.，彭宁顿，新泽西州，1992 年，第 14 页。 350. 1 版权所有 © ASTM，100 Barr Harbor Drive，West Conshohocken，PA 19428-2959，美国。注意：本标准已被新版本取代或废止。请联系 ASTM 国际 (www.astm.org) 了解最新信息。 其使用符合这些规定（见1.11）。
1.11 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。