采用该技术所研制的外延材料性能为国内领先、国际先进水平,部分指标参数为国际领先水平: 外延材料方块电阻:270-400Ω/之间可调; 方块电阻片内不均匀性:优于 3%; 室温二维电子气迁移率:大于 1800cm2/Vs; 外延材料尺寸:2英寸或3英寸,并可扩展4英寸或更大尺寸。...
在微波射频领域,一般来说,功率表达式为电流和电压的乘积,即P=IU。处理同样的功率,人们总是希望提高工作电压而减少电流,因为电流是损耗(铜损)和发热的来源,不仅损失能量,而且降低器件和系统的可靠性。GaN高于硅和砷化镓材料的带隙宽度和键能,决定了它更高的工作电压。同时它还具有高的强场漂移速度,以及在高电子迁移率晶体管(HEMT)中二维电子气的面密度。...
图1:(a)多沟道三栅AlGaN / GaN MOSHEMT的示意图。(b)三栅区的横截面示意图。插图:多通道异质结构。(c)等效电路。(d)三栅区域的横截面扫描电子显微镜图像,倾斜52°。在五个平行的薄二维电子气(2DEG)通道上的霍尔测量给出了薄层电阻为230Ω/平方,具有1.5x1013/cm2的载流子密度和1820cm2/V-s迁移率(μ)。...
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